0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Part Number | FQD9N25TM-F080 | Producent | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Opis | MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK | Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 74110 pcs | Arkusz danych | 1.FQD9N25TM-F080.pdf2.FQD9N25TM-F080.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±30V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | D-Pak |
| Seria | QFET® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 420 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Strata mocy (max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) | Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Inne nazwy | FQD9N25TM-F080TR FQD9N25TM_F080 FQD9N25TM_F080-ND FQD9N25TM_F080TR FQD9N25TM_F080TR-ND |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) | Standardowy czas oczekiwania producenta | 5 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 20nC @ 10V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 250V | szczegółowy opis | N-Channel 250V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 7.4A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
| UPS | www.UPS.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
| TNT | www.TNT.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
