0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Part Number | FDB86360-F085 | Producent | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Opis | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 23450 pcs | Arkusz danych | FDB86360-F085.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | D²PAK (TO-263AB) |
| Seria | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 1.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Strata mocy (max) | 333W (Tc) | Opakowania | Original-Reel® |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Inne nazwy | FDB86360-F085DKR FDB86360_F085DKR FDB86360_F085DKR-ND |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) | Standardowy czas oczekiwania producenta | 33 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 14600pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 253nC @ 10V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 80V | szczegółowy opis | N-Channel 80V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
| UPS | www.UPS.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
| TNT | www.TNT.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
