Global Power Technologies Group Dystrybutor | Global Power Technologies Group Dystrybutor komponentów elektronicznych

Global Power Technologies Group: - Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), założona w 2007 roku, jest zintegrowaną firmą zajmującą się rozwojem i produkcją, dedykowaną produktom opartym na technologiach węgliku krzemu (SiC). Produkty te będą podstawą dla energoelektroniki i przemysłu energetycznego w przyszłych latach, w których potrzebne są zaawansowane technologie w zakresie taniego, wysoce wydajnego wytwarzania, konwersji i transmisji.

Poproś o formularz zapytania >

Produkty powiązane

: GSXD060A004S1-D3; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227; Na stanie: 10764 pcs; Pobieranie: GSXD060A004S1-D3.pdf; RFQ

: GP2M008A060PGH; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK; Na stanie: 5108 pcs; Pobieranie: GP2M008A060PGH.pdf; RFQ

: GP1M006A065CH; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK; Na stanie: 6009 pcs; Pobieranie: GP1M006A065CH.pdf; RFQ

: GP2M012A060F; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F; Na stanie: 5378 pcs; Pobieranie: GP2M012A060F.pdf; RFQ

: FR6D02; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4; Na stanie: 19742 pcs; Pobieranie: FR6D02.pdf; RFQ

: 1N3208R; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5; Na stanie: 18487 pcs; Pobieranie: 1N3208R.pdf; RFQ

: GP1M010A080N; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN; Na stanie: 4522 pcs; Pobieranie: GP1M010A080N.pdf; RFQ

: FR6G05; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP 400V 16A DO4; Na stanie: 19937 pcs; Pobieranie: FR6G05.pdf; RFQ

: GSXF100A020S1-D3; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: DIODE FAST REC 200V 120AA SOT227; Na stanie: 7613 pcs; Pobieranie: GSXF100A020S1-D3.pdf; RFQ

: FR6J05; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A DO4; Na stanie: 15238 pcs; Pobieranie: FR6J05.pdf; RFQ

: GHIS060A120S-A1; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227; Na stanie: 3320 pcs; Pobieranie: GHIS060A120S-A1.pdf; RFQ

: FR16J02; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP 600V 16A DO4; Na stanie: 21813 pcs; Pobieranie: FR16J02.pdf; RFQ

: GP2D030A120U; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: DIODE SIC 1200V 50A TO24; Na stanie: 6368 pcs; Pobieranie: GP2D030A120U.pdf; RFQ

: FR12DR02; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4; Na stanie: 24717 pcs; Pobieranie: FR12DR02.pdf; RFQ

: 1N2135A; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP 400V 60A DO5; Na stanie: 13918 pcs; Pobieranie: 1N2135A.pdf; RFQ

: MUR2540; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4; Na stanie: 12827 pcs; Pobieranie: MUR2540.pdf; RFQ

: GHIS080A120S-A2; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227; Na stanie: 1787 pcs; Pobieranie: GHIS080A120S-A2.pdf; RFQ

: MUR2520R; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4; Na stanie: 11856 pcs; Pobieranie: MUR2520R.pdf; RFQ

: GSXD060A008S1-D3; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227; Na stanie: 7457 pcs; Pobieranie: GSXD060A008S1-D3.pdf; RFQ

: MBRT200200; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER; Na stanie: 2464 pcs; Pobieranie: MBRT200200.pdf; RFQ

: FST10040; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE MODULE 40V 100A TO249AB; Na stanie: 2097 pcs; Pobieranie: FST10040.pdf; RFQ

: GHIS050A060B3P2; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES; Na stanie: 1373 pcs; Pobieranie: GHIS050A060B3P2.pdf; RFQ

: FST10035; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE MODULE 35V 100A TO249AB; Na stanie: 2160 pcs; Pobieranie: FST10035.pdf; RFQ

: GP2M002A065HG; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220; Na stanie: 5944 pcs; Pobieranie: GP2M002A065HG.pdf; RFQ

: GPA040A120L-FD; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: IGBT 1200V 80A 480W TO264; Na stanie: 23359 pcs; Pobieranie: GPA040A120L-FD.pdf; RFQ

: GP1M004A090FH; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F; Na stanie: 4008 pcs; Pobieranie: GP1M004A090FH.pdf; RFQ

: S25D; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA; Na stanie: 15159 pcs; Pobieranie: S25D.pdf; RFQ

: GB50SLT12-247; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC; Na stanie: 947 pcs; Pobieranie: GB50SLT12-247.pdf; RFQ

: 1N1186R; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5; Na stanie: 21121 pcs; Pobieranie: 1N1186R.pdf; RFQ

: GSXD060A012S1-D3; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227; Na stanie: 7765 pcs; Pobieranie: GSXD060A012S1-D3.pdf; RFQ

: GPA030A135MN-FDR; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN; Na stanie: 36205 pcs; Pobieranie: GPA030A135MN-FDR.pdf; RFQ

: S12KR; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4; Na stanie: 24366 pcs; Pobieranie: S12KR.pdf; RFQ

: FST10060; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE MODULE 60V 100A TO249AB; Na stanie: 2246 pcs; Pobieranie: FST10060.pdf; RFQ

: GP2D030A060B; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2; Na stanie: 12526 pcs; Pobieranie:; RFQ

: S16D; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA; Na stanie: 29966 pcs; Pobieranie: S16D.pdf; RFQ

: GP2M005A060PG; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK; Na stanie: 4573 pcs; Pobieranie: GP2M005A060PG.pdf; RFQ

: FST16045; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE MODULE 45V 160A TO249AB; Na stanie: 2248 pcs; Pobieranie: FST16045.pdf; RFQ

: GSXF120A020S1-D3; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: DIODE FAST REC 200V 120A SOT227; Na stanie: 7168 pcs; Pobieranie: GSXF120A020S1-D3.pdf; RFQ

: GCMS004A120S7B1; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL; Na stanie: 68 pcs; Pobieranie: GCMS004A120S7B1.pdf; RFQ

: GKR26/04; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4; Na stanie: 26308 pcs; Pobieranie: GKR26/04.pdf; RFQ

: GP2D008A120C; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L; Na stanie: 17813 pcs; Pobieranie: GP2D008A120C.pdf; RFQ

: GSID100A120T2P2; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: SILICON IGBT MODULES; Na stanie: 628 pcs; Pobieranie: GSID100A120T2P2.pdf; RFQ

: GP1M005A050H; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220; Na stanie: 5816 pcs; Pobieranie: GP1M005A050H.pdf; RFQ

: GSXD100A012S1-D3; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227; Na stanie: 7317 pcs; Pobieranie: GSXD100A012S1-D3.pdf; RFQ

: 1N1204AR; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4; Na stanie: 35472 pcs; Pobieranie: 1N1204AR.pdf; RFQ

: FR20K05; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP 800V 20A DO5; Na stanie: 12959 pcs; Pobieranie: FR20K05.pdf; RFQ

: GP1M003A090PH; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK; Na stanie: 5290 pcs; Pobieranie: GP1M003A090PH.pdf; RFQ

: GSXF060A120S1-D3; Producenci: Global Power Technologies Group; Opis: DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227; Na stanie: 6056 pcs; Pobieranie: GSXF060A120S1-D3.pdf; RFQ

: FR12DR05; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4; Na stanie: 23932 pcs; Pobieranie: FR12DR05.pdf; RFQ

: MUR2505R; Producenci: GeneSiC Semiconductor; Opis: DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4; Na stanie: 12634 pcs; Pobieranie: MUR2505R.pdf; RFQ

Wybierz swój kraj lub region.

Kategoria produktu

Powiązane wiadomości

Produkty powiązane