Prostowniki SiC

Szybkie diody Schottky'ego o strukturze węglika krzemu STMicroelectronics

Przełączanie diod Schottky'ego o strukturze węglika krzemu STMicroelectronics umożliwia projektantom osiągnięcie wyższego poziomu wydajności i gęstości mocy. Obejmujące prądy znamionowe od 2 A do 40 A, rodziny diod STC 650 V i 1200 V SiC obejmują urządzenia przemysłowe AEC-Q101 przeznaczone do montażu w przemyśle, a także do montażu na powierzchni DPAK HV (wysokie napięcie) i D²PAK, lub przelotowe otwory TO-220AC i TO-247LL (długi przewód).

Zakres diod ST JBS (SiC) 1200 V z węglika krzemu (JC Barrier Schottky) spełnia potrzeby projektantów w zakresie najwyższej wydajności, niskiej masy, niewielkich rozmiarów i lepszych właściwości termicznych w zastosowaniach zorientowanych na wydajność.

Oferuje doskonałe napięcie przewodzenia (niskie V_fa) i najnowocześniejsza wytrzymałość, diody SiC 1200 V ST zapewniają dodatkową swobodę w uzyskiwaniu wysokiej wydajności i niezawodności przy niższym prądzie znamionowym, a tym samym niższym koszcie, przy jednoczesnym obniżeniu temperatury pracy i przedłużeniu żywotności aplikacji. Zapewniają idealne dopasowanie do każdego konwertera przełączającego i falownika, w którym wymagana jest ekstremalna gęstość mocy i wydajność, takich jak SMPS, UPS, energia słoneczna i napędy silnikowe.

Rodzina diod SiC ST o natężeniu prądu od 2 A do 40 A obejmuje dedykowane przemysłowo, a także motoryzacyjne urządzenia AEC-Q101 w montowanych powierzchniowo DPAK HV (wysokie napięcie) i D²PAK lub przelotowy TO Pakiety -220AC i TO-247LL (długi przewód).

1200 V SiC ST pozwala na osiągnięcie wysokich standardów i niewielkich rozmiarów.